2020年11月16日下午。维也纳科技大学邹志宇博士应邀到太阳成集团tyc234cc古天乐太阳成集团tyc234cc官网作题为“对称性不匹配表面石墨烯的原位生长与物性测量”的报告。邹志宇博士在化学气相沉积方法石墨烯生长及能带结构调控等方面具有多年经验，从事博士后研究工作后曾使用高温快速扫描隧道显微镜对石墨烯的生长过程进行原位实时观测，对实验参数的精确控制可实现石墨烯大面积生长且结构均一。
石墨烯作为最早被发现的二维材料，以其优异的电学性质和机械性能而备受关注。化学气相沉积（CVD）作为层状薄膜材料常用的制备方法，非常适宜大批量生长高质量的石墨烯。其中，过渡金属以其优异的催化活性，被视为石墨烯CVD生长的最佳催化剂。目前，关于石墨烯外延生长及石墨烯-金属界面性质的研究，大多以六重对称的过渡金属表面作为衬底，而对于与石墨烯对称性不匹配的基底表面的研究却长期被人所忽视。这次报告报告中，邹志宇博士系统回顾在具有四重对称性的Ni(100)表面，采用原位扫描隧道显微术、光电子能谱等测量手段，并结合理论计算模拟，对石墨烯的生长机制、界面吸附、摩尔条纹结构以及能带结构所进行的一系列研究。由于石墨烯薄膜与生长衬底的对称性不匹配，造成了石墨烯独特的生长模式、摩尔超结构以及电子结构，并有望在未来的微纳电子学中获得应用。而包括石墨烯在内的二维材料，在对称性不匹配表面的生长、吸附及物理、化学性质研究，在未来将具有极为广阔的前景。报告结束后，在场师生就化学气相沉积方法，实验设备调节策略，实验安全性等问题与邹志宇博士展开讨论。
报告人简介：邹志宇，2009年毕业于吉林大学化学学院，2014年毕业于北京大学前沿交叉学科研究院，获理学博士学位。2014年至2019年，先后在北京大学纳米化学研究中心，意大利国家材料研究院先进纳米科技国家实验室，以及奥地利维也纳科技大学应用物理系从事博士后研究工作。邹志宇博士的研究方向包括二维材料的化学气相沉积生长，以及采用扫描探针显微镜与光谱手段研究层状薄膜材料的生长机制及电子结构。至今已在Nano Letters, Nature Communications, Carbon, Nano Research, JPCC, PCCP等期刊发表学术论文十余篇
